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SiC-Leistungselektronik für induktive Erwärmung von Metallen

In diesem Projekt wird der Einsatz von SiC-Leistungshalbleitern in Hochleistungs-Induktionsumrichtern untersucht. Ziel ist es, Effizienz, Leistungsdichte und Kompaktheit deutlich zu steigern. Technische Risiken wie EMV, Thermik und parasitäre Effekte werden systematisch analysiert und validiert.

SiC-Leistungselektronik für induktive Erwärmung von Metallen - Grunddaten

Kategorie

Innosuisse

Referenznummer

136.394 INNO-ENG

Projektstart

17.02.2026

Projektende

16.08.2026

Projektdauer

6 Months

Projektstatus

laufend

Bereich

IES-OST

In diesem Projekt wird der Einsatz von SiC-Leistungshalbleitern in Hochleistungs-Induktionsumrichtern untersucht. Ziel ist es, Effizienz, Leistungsdichte und Kompaktheit deutlich zu steigern. Technische Risiken wie EMV, Thermik und parasitäre Effekte werden systematisch analysiert und validiert.

SiC-Leistungselektronik für induktive Erwärmung von Metallen - Grunddaten

Personen

Simon Nigsch

Projektverantwortlich
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