In diesem Projekt wird der Einsatz von SiC-Leistungshalbleitern in Hochleistungs-Induktionsumrichtern untersucht. Ziel ist es, Effizienz, Leistungsdichte und Kompaktheit deutlich zu steigern. Technische Risiken wie EMV, Thermik und parasitäre Effekte werden systematisch analysiert und validiert.
SiC-Leistungselektronik für induktive Erwärmung von Metallen - Grunddaten
In diesem Projekt wird der Einsatz von SiC-Leistungshalbleitern in Hochleistungs-Induktionsumrichtern untersucht. Ziel ist es, Effizienz, Leistungsdichte und Kompaktheit deutlich zu steigern. Technische Risiken wie EMV, Thermik und parasitäre Effekte werden systematisch analysiert und validiert.
SiC-Leistungselektronik für induktive Erwärmung von Metallen - Grunddaten