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SiC-Leistungselektronik für induktive Erwärmung von Metallen

In diesem Projekt wird der Einsatz von SiC-Leistungshalbleitern in Hochleistungs-Induktionsumrichtern untersucht. Ziel ist es, Effizienz, Leistungsdichte und Kompaktheit deutlich zu steigern. Technische Risiken wie EMV, Thermik und parasitäre Effekte werden systematisch analysiert und validiert.

SiC-Leistungselektronik für induktive Erwärmung von Metallen - Grunddaten

Category

Innosuisse

Reference number

136.394 INNO-ENG

Project start

17.02.2026

Project end

16.08.2026

Project duration

6 Months

Status

laufend

Area

IES-OST

In diesem Projekt wird der Einsatz von SiC-Leistungshalbleitern in Hochleistungs-Induktionsumrichtern untersucht. Ziel ist es, Effizienz, Leistungsdichte und Kompaktheit deutlich zu steigern. Technische Risiken wie EMV, Thermik und parasitäre Effekte werden systematisch analysiert und validiert.

SiC-Leistungselektronik für induktive Erwärmung von Metallen - Grunddaten

Persons

Simon Nigsch

Project manager
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